• 快速老化試驗方法

    2016/3/31 8:38:23??????點擊:

    這種快速老化試驗方法 LED應(yīng)用廠可以試試!


      LED網(wǎng)訊】摘要:本文以LED封裝的五大原物料及五大制程為基礎(chǔ),分析影響LED壽命的的主要因素,以高溫、大電流為試驗條件,探討快速老化試驗快速分析甄別LED。為快速導(dǎo)入LED廠商做依據(jù)。

      關(guān)鍵詞:LED封裝物料、快速老化

      引言

      隨著LED產(chǎn)品的不斷發(fā)展,LED行業(yè)無論是從上游的晶片,中游的封裝還是下游的應(yīng)用都呈現(xiàn)出百花齊放模式。然而現(xiàn)在正從百花齊放的狀態(tài)往大洗牌的模式發(fā)展,如何在LED大洗牌中存活起來,其中最大的因素就是提高自身產(chǎn)品的性價比。所以目前LED行業(yè)無論是飛利浦、OSRAM等LED巨頭還是一些國內(nèi)小規(guī)模公司都在進行殘酷的價格戰(zhàn)。而對于LED照明產(chǎn)品,LED顆粒占成本比例最高,所以LED應(yīng)用廠會不停的尋找低成本的LED顆粒供應(yīng)商,而LED顆粒供應(yīng)商要使自己產(chǎn)品更有性價比就一定要做降本。所以LED芯片、金線、支架等這些原物料就首當(dāng)其沖被替換。

      就目前來講LED顆粒單價的降本頻率已經(jīng)從之前的季度降本提高到每月降本,所以如何對LED信賴性做好把關(guān)非常關(guān)鍵。如果采用LM 80/LM 79的測試方式顯然不能滿足應(yīng)用廠的要求,LM 80的測試周期一般正常為6000hr,按照這樣的方式驗證完成后LED顆粒的價格早已做過幾次更新。所以對于LED應(yīng)用廠來說,需要在最短的時間內(nèi)對一款LED信賴性作出判斷,即探討一種低成本、快速、有效的篩選LED顆粒的方法。

      LED封裝物料介紹

      如上圖(1)所示,LED主要的原物料有封裝膠、金線、晶片、固晶膠、支架五個部分。每種物料都會直接影響LED性能。例如較差的封裝膠不但會導(dǎo)致出光效率低,更會導(dǎo)致材料容易受潮,硫化風(fēng)險增大。

      隨著LED封裝企業(yè)越來越多,迫于成本及競爭淘汰的壓力,封裝廠使用的線材已經(jīng)從剛開始的99.99%的純金線演變成K金線,鍍鈀銅線,而這些線材導(dǎo)熱率會下降,而且延展性降低,這樣對于外界產(chǎn)生的應(yīng)力會很敏感,很容易產(chǎn)生斷線,舉例來講,因為LED為潮濕敏感性器件,如果LED中有水汽進入,當(dāng)貼片完成后過回流焊時會因熱膨脹產(chǎn)生應(yīng)力,如果線材延展性不好會很容易因應(yīng)力導(dǎo)致斷線,從而造成過回流焊后死燈現(xiàn)象嚴重。

      另外迫于成本的壓力,很多封裝廠是都在減小晶片的尺寸,并且過電流操作例如早期10*30mil晶片只會做到0.1W,驅(qū)動到30mA,而現(xiàn)在有些廠商會過載到100mA,這樣已經(jīng)超過此晶片的最大承受電流,光衰的風(fēng)險太大。

      對LED壽命影響較大的另一個重要物料就是支架。 對于同樣一顆LED,在成本不變的前提下,要獲取更多的光通量,最有效的方法就是過電流來驅(qū)動,但是這樣操作會造成電流密度過大,從而導(dǎo)致熱量的增加非常大,如下圖2所示使用同一家2835 1W LED做蠟燭燈,推不同電流對應(yīng)的溫度。

    圖2 LED不同驅(qū)動電流對應(yīng)溫度(測試儀器:紅外熱像儀)

      從上圖可以看出,LED驅(qū)動電流下降20%,對應(yīng)的LED芯片表面溫度下降17%。另外130°已經(jīng)超過了LED芯片的最大承受溫度(一般中小功率芯片為115°,較好點的為125°)。過高的溫度不但導(dǎo)致LED芯片損傷,熒光粉激發(fā)效率降低,也會使支架上的反射蓋黃化,從而最終都會導(dǎo)致LED光衰嚴重。

      目前中小功率(0.5W以下)使用的還是PA9T,有些廠商出于成本的考量甚至還在使用PA6T,不耐高溫。對于耐高溫來講表現(xiàn)最好的為EMC,其次為PCT,然后是PA9T,PT6T表現(xiàn)最差。

      LED快速老化的方法探討

      本文基于LED應(yīng)用廠探討LED顆??焖倮匣囼灧椒?,當(dāng)LED應(yīng)用廠拿到LED封裝廠提供的樣品后,分三部分進行篩選測試:①.對LED顆粒進行初始光電參數(shù)測試,包括不同參數(shù)下的光電參數(shù),芯片尺寸等;②.常溫、1.5倍電流快速老化測試;③.85℃、標(biāo)稱電流快速老化測試。下面以一個實際案例進行說明。

      需要說明的一點是:本文中的快速老化試驗所作出的壽命推估只做參考使用,目前還沒有一個快速老化試驗的標(biāo)準,所以此方法僅作為照明應(yīng)用廠在同等試驗條件下將多家供應(yīng)商的LED顆粒進行比較試驗,擇優(yōu)選取的參考。

      初始光電參數(shù)測試及芯片尺寸量測

      對A、B兩家LED顆粒樣品進行初始參數(shù)測試,測試結(jié)果如表1,從表格中可以看出A、B兩家材料初始光通量相當(dāng),其中B廠商電壓較低,整體光效會高于A廠商。

    表1  A、B兩家LED顆粒初始光電參數(shù)

      從晶片2D圖可以看出A廠商使用的晶片尺寸大于B廠商,A廠商芯片的最大承受能力會大于B廠商,即在過電流操作的情況下,A廠商的的光衰會小于B廠商(2.2.4的老化試驗也證明了這點)。

    圖3  A、B廠商芯片2D圖

      常溫、1.5倍電流快速老化

      各取5pcs(有條件的可取適當(dāng)取多點數(shù)量)進行常溫(25℃),1.5倍電流(225mA)快速老化試驗,分0hr、48hr、96hr、168hr四個階段測試光電參數(shù),以光通量的變化量計算出各節(jié)點衰減比例。如表2所示。并根據(jù)各節(jié)點衰減比例模擬出LED顆粒的壽命曲線,如表3所示。從壽命曲線圖可以看出A廠商的LED壽命明顯優(yōu)于B廠商。

    表2 常溫、1.5倍電流光通量衰減比例

    表3 常溫、1.5倍電流壽命推估圖

      85℃、標(biāo)稱電流快速老化

      各取5pcs(有條件的可取適當(dāng)取多點數(shù)量)進行85℃、標(biāo)稱電流(15mA)快速老化試驗,分0hr、48hr、96hr、168hr四個階段測試光電參數(shù),以光通量的變化量計算出各節(jié)點衰減比例,如表4所示。并根據(jù)各節(jié)點衰減比例模擬出LED顆粒的壽命曲線,如表5所示。從試驗結(jié)果看,高溫老化試驗中,A廠商壽命也會比B廠商高。

    表4  85℃、標(biāo)稱電流光通量衰減比例


    表5  85℃、標(biāo)稱電流壽命推估圖

      小結(jié)

      通過本章的討論我們可以探討出適用于應(yīng)用廠的快速篩選LED的方法:在同時拿到多家封裝廠LED的時候,首先可以對LED進行解剖,量測LED芯片尺寸,一般芯片越大抗ESD、抗大電流能力肯定越好;其次進行常溫、1.5倍(或者雙倍)快速老化試驗以及85℃、標(biāo)稱電流老化試驗,根據(jù)0hr、48hr、96hr、168hr各節(jié)點的光通量衰減比例繪制出壽命推估,比較各廠商的光通量維持率能力,從而比較判斷各廠商的優(yōu)劣,最后可以結(jié)合各廠商LED的單價在最短時間內(nèi)選擇最具性價比的LED顆粒。

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